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報告書

レーザートモグラフィー装置による光学素子の微少欠陥密度測定

福山 裕康*; 杉山 僚

JAERI-Tech 2000-058, 33 Pages, 2000/11

JAERI-Tech-2000-058.pdf:5.98MB

大型結晶を開発するためには、結晶育成中に生じる内部の微少欠陥を測定・評価し、より高品質の結晶育成を行う技術開発が不可欠である。そこで、微少欠陥を非破壊で検知できるレーザートモグラフィー法の開発を行った。光学特性が異なるサンプルを精度良く測定するために、測定手法の最適化を行った。欠陥測定を行い、ガラス,YAG,Sapphire,Ti:sapphire結晶の欠陥密度は、各々2$$times$$10$$^{10}$$,5$$times$$10$$^{7}$$,1$$times$$10$$^{8}$$,1$$times$$10$$^{10}$$個/cm$$^{3}$$となった。また、Ti:sapphire結晶について欠陥密度のドープ濃度依存性を測定した結果、濃度の増加とともに欠陥密度も増加する傾向を示すことがわかった。さらに、HEM法によって育成された結晶の欠陥密度は6.4$$times$$10$$^{8}$$個/cm$$^{3}$$とほかの育成方法に比べて1桁以上小さい結果を得た。

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